【CNMO科技动静】2月9日，全世界市场研究公司Counterpoint发布的《2月内存价格追踪陈诉》显示，截至2026年第一季度，内存价格较2025年第四序度环比暴涨80%-90%，DRAM、NAND和HBM全品类价格均创下汗青新高，市场出现全品类、全板块周全加快上涨的态势。 据CNMO相识，本轮内存价格年夜幅爬升的重要推手是通用办事器DRAM价格的暴涨，此前于2025年第四序度体现平稳的NAND闪存，于2026年第一季度也同步迎来80%-90%的涨幅，叠加部门HBM3e产物价格走高，进一步推高了总体市场价格。此中办事器级内存价格涨幅尤为显著，64GB RDIMM合约价从2025年第四序度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上，且估计第二季度有望冲破1000美元关隘。 面临连续走高的内存成本，下流原始装备制造商（OEM）纷纷调解计谋，经由过程削减单款装备的内存配置减缓成本压力，同时优先推出搭载LPDDR5的高端产物线，该范畴的价格压力相对于可控。智能手机厂商也采纳了降配办法，减少装备DRAM容量，或者采用性价比更高的QLC方案替换TLC固态硬盘。市场定单布局也随之变化，供给紧张的LPDDR4定单较着下滑，LPDDR5定单则随入门级芯片推出连续增加。 该机构指出，对于装备厂商而言，零部件成本上涨叠加消费者采办力削弱，组成了两重冲击。跟着本季度推进，需求极可能放缓，这就要求OEM转变采购模式，或者聚焦高端机型，经由过程提供更多价值来支撑更高的产物订价。 版权所有，未经许可不患上转载
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